ETRI는 지난 10월 4일부터 10일까지 이탈리아 로마에서 열린 유럽 최대 규모의 마이크로파학회의 'EuMW 전시회'에서 자체 개발한 질화갈륨(GaN) RF 전력증폭기 기술과 GaN 전력반도체 기술을 공개, 국내외 학계는 물론 RF(고주파) 부품 및 시스템 해외업체로부터 많은 관심을 받아 큰 성과를 얻었다.
ETRI가 공개한 기술은 기존 반도체인 실리콘(Si)이나 갈륨비소(GaAs) 대신 질화갈륨(GaN)을 사용해 전력밀도를 최대 10배, 증폭소자 교체주기는 16배, 전력효율은 30% 이상 우수한 것이 특징이다.
또한, 본 기술은 현재 세계 반도체분야 최고기업에서만 보유한 기술로 국방 및 이동통신 분야 차세대 반도체 고출력증폭기 핵심기술이며, 고출력 레이더 개발 등에도 적용이 가능하다.
ETRI가 공개한 기술은 기존 반도체인 실리콘(Si)이나 갈륨비소(GaAs) 대신 질화갈륨(GaN)을 사용해 전력밀도를 최대 10배, 증폭소자 교체주기는 16배, 전력효율은 30% 이상 우수한 것이 특징이다.
또한, 본 기술은 현재 세계 반도체분야 최고기업에서만 보유한 기술로 국방 및 이동통신 분야 차세대 반도체 고출력증폭기 핵심기술이며, 고출력 레이더 개발 등에도 적용이 가능하다.
이번 전시회에서 ETRI는 기술의 우수성을 인정받아 세계적인 항공우주시스템 장비회사인 영국의 BAE 시스템즈社로부터 투자의향을 받았으며, RF 칩 또한 중국의 이동통신업체와 영국의 전력증폭기 제작업체들로부터 많은 기술이전 문의를 받았다.
전시회에는 전 한국전자파학회장 윤상원 교수, 대만 국립중정대학 오건화 교수, 영국 BAE 시스템즈社 와트슨 박사, 이스라엘 엘리스라(elisra)사의 오바디아 메니저 등이 참석했다.
한편, ETRI 김흥남 원장은 “이번 전시회를 통해 대한민국의 GaN 반도체 기술을 널리 알리게 되었으며, 해외의 RF 부품 및 시스템 업체에 ETRI의 GaN 반도체 기술을 인식시켜 상용화 가능성을 열었다는 데 큰 의미가 있다”고 말했다.
전시회에는 전 한국전자파학회장 윤상원 교수, 대만 국립중정대학 오건화 교수, 영국 BAE 시스템즈社 와트슨 박사, 이스라엘 엘리스라(elisra)사의 오바디아 메니저 등이 참석했다.
한편, ETRI 김흥남 원장은 “이번 전시회를 통해 대한민국의 GaN 반도체 기술을 널리 알리게 되었으며, 해외의 RF 부품 및 시스템 업체에 ETRI의 GaN 반도체 기술을 인식시켜 상용화 가능성을 열었다는 데 큰 의미가 있다”고 말했다.
