기술 요약
IGBT 전력반도체 적용을 위한 레이저 어닐링 평가 기술
IGBT 전력반도체 적용을 위한 레이저 어닐링 평가 기
기술 개요
본 기술은 전력반도체 특히 FS-IGBT 소자에 적용 가능한 레이저 어닐링 공정을 개발
하기 위해 레이저 광침투 깊이 분석, 레이저에 의한 웨이퍼 Damage 평가 최종적으로
FS-IGBT 소자에 레이저 어닐링을 적용하여 전력반도체 웨이퍼 후면용 레이저 어닐링
장비를 개발하기 위한 공정평가기술
기술의 특징
및 장점
○ 웨이퍼에 대한 레이저 광침투 깊이가 2㎛ 이상이며, 레이저 어닐링 후 웨이퍼에 대한
Damage 평가 시 저항 소자의 Sheet Resistance 값이 900ohm/sq 이하이고 PIN Diode
소자가 동작하며, 1200V FS-IGBT 소자에 레이저 어닐링 적용 시 Breakdown Voltage
1200V 이상, Threshold Voltage 4V 이상, Vec(sat) 2.2V 이하의 특성을 가진 레이저 어
닐링 공정에 대한 평가 기술임.
기술이전
범위
레이저 어닐링 평가를 위한 소자/공정/제작 기술
- 웨이퍼에 레이저 광침투 깊이 분석을 위한 시편 제작 기술
- 저항 소자 공정 및 제작 기술, PIN Diode 소자 공정 및 제작 기술
- FS-IGBT 전력반도체 소자 공정 및 제작 기술
레이저 어닐링 후 전력반도체 적용을 위한 평가 기술
- 웨이퍼 후면 레이저 광침투 깊이 분석 기술, Damage 확인을 위한 저항 소자/Diode
소자 특성 평가 기술, 전력반도체 적용을 위한 FS-IGBT 소자 특성 평가 기술
특허 사항
특허 명
해당사항 없음
출원등록
사항
문의: ICT소재부품연구소 기업지원협력실(042-860-5907, siyeo@etri.re.kr)
Key Word: IGBT, 레이저 어닐링, 평가기술