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민군기술협력 박람회
1. 행사개요
행사명 : 『민군기술협력 박람회』
기 간 : 2014년 5월 29일(목) ~ 6월 1일(일)
장 소 : KINTEX 4~5 Hall / 21,545㎡
주 최 : 국방부, 미래부, 산업부, 방위사업청
주 관 : ADD, 국방기술품질원, 정부출연연구기관
참 가 : 정보통신, 정보보안, 소프트웨어 관련 대기업, 중소기업 등
참석자 : VIP 국방부, 미래부, 산업부 장관, 국회, 관련 기관장,
군 및 기업 관계자, 일반인, 학생 등 참가
2. 행사소개
국방기술의 발전, 정부부처 간 협업, 民‧軍 기술의 협력(Spin on/off/up) 성과물 전시, 홍보
국민은 “생산하는 국방”을 체험하고, 기업에게는 “창조경제 주역의 기회”를 제공하는 국민 축제의 장 마련
혁신적 국방경영 및 국방과학기술 발전(창조적 국방 R&D 추진)
참여 기관 및 업체
- 정부출연연구소 : 27개(ADD, 기품원, 정부출연연구기관 25개)
- 업체 참여 : 159개(방산업체 90개, 일반업체 69개)
관람인원
3. ETRI 참가기술
직할부서 |
기술명 및 소개 |
SW콘텐츠 연구소 |
ㅇ고신뢰 자율제어 SW를 위한 CPS 핵심 기술 전장환경의 변화에 따라 첨단화⋅지능화되고 있는 복잡한 스마트 무기체계 개발 시 설계에서 양산까지 빠르고 효율적인 개발을 가능하게 하는 기술로써, 미래 무기체계 개발을 컴퓨터상의 가상환경에서도 가능하도록 한 모의실험환경기반 신개념 무기체계 개발 기술 |
부품소재 연구소 |
ㅇGaN 트랜지스터 기반의 Ku-Band 고출력 증폭기 기술 Ku 대역(12∼18 GHz) 15W, 25W급 GaN 트랜지스터의 설계, 공정, 측정 기술을 국내 독자개발 하고, 개발된 GaN 트랜지스터를 이용하여 군수용 200W급 반도체 고출력증폭기, 민수용 40W급 위성용 반도체 고출력 증폭기를 개발하는 기술 |
방송통신 미디어 연구소 |
ㅇKa 대역 GaN MMIC 기반 SSPA 기술 기존의 GaAs(Gallium Arsenide) 소자에 비해 넓은 밴드갭 특성과 고온 안정성을 갖는 GaN(Gallium Nitride) 기술을 이용하여, 작은 면적에서 고효율/고출력 특성을 갖는 고출력증폭기 MMIC (Monolithic Microwave Integrated Circuit) 및 모듈 기술로, 미래 군통신/레이더 및 민수 무선/위성 통신 시스템용 핵심 기술 |
4. 박람회장 구성
전시관 |
구 성 |
민군기술관 |
민군기술협력 소개, 민군기술협력사업 성과, 창조국방, 국방기술비전 |
창조협력관 |
부처협력 소개, 협력 성과물, 미래적용 기술(출연연) |
기업지원관 |
방산단계 소개, 국산화 개발성과, 개발필요부품 등 |
5. 전시회 화보
민군기술협력 박람회 대통령 축사
CPS 핵심 기술 시연(연구회 이사장)
Ku-Band 고출력 증폭기 기술 보고(미래부 장관)
Ka 대역 GaN MMIC 기반 SSPA 기술 시연
ETRI IT어린이기자단 활동