[ETRI 보도자료] ETRI, AI시대 메모리 초격차 국가 전략으로 잇는다_FF.hwp
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배포일자 : 2025.11.05.(수) |
배포번호 : 2025-81호 |
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ETRI, AI시대 메모리 초격차 국가 전략으로 잇는다
- 글로벌 기술패권 경쟁, 정부-산학연‘3축 공진화 전략’강조
- 삼성·SK하이닉스 K-반도체 대표와 AI메모리 국가전략 논의
국내 연구진이 한데 모여 AI시대 메모리 초격차를 국가전략으로 잇기 위한 부단한 노력을 하고 있다. 연구진들의 새로운 국가 R&D 전략 방향 제시에 큰 관심이 모아지고 있다.
한국전자통신연구원(ETRI)은 5일 서울 양재 엘타워에서‘AI 메모리 분야 국가전략프로젝트 기술·정책 토론회’를 개최하고, AI 시대 메모리 반도체 초격차 유지를 위한 새로운 국가 R&D 전략 방향을 제시했다.
이번 토론회에서는 초거대 AI 모델 확산으로 급증하는 메모리 수요와 글로벌 기술패권 경쟁 속에서, 정부·산업계·학계가 함께 대응 방안을 논의하기 위해 마련됐다.
행사에는 ETRI 방승찬 원장을 비롯해 한성수 ICT전략연구소장, SK하이닉스·삼성전자·파네시아 등 산업계, 고려대학교 등 학계, 국회예산처·한국연구재단 등 주요 기관 관계자들이 참석했다.
최근 글로벌 반도체 시장은 막대한 보조금을 앞세운 국가 간 경쟁이 격화되면서, 오랜 기간 세계 1위를 지켜온 우리나라의 메모리 산업이‘초격차 유지의 기로’에 서 있다는 위기감이 고조되고 있다. 특히 민간 투자 의존도가 높은 국내 현실상, 정부의 전략적 지원과 산학연의 유기적인 협력체계 구축이 시급하다는 지적이 제기되어 왔다.
ETRI는 이날 AI 메모리 분야 국가전략프로젝트 투자 타당성 분석 결과를 공개하고, 민간 중심의 투자 구조를 보완할 정부 R&D 지원 방향과 산학연 협력체계 구축의 필요성을 강조했다.
발제를 맡은 ETRI 기술전략연구본부 이승환 본부장은 △HBM 등 기존 기술의 초격차 유지를 위한 수직확장, △CXL 등을 통해 메모리의 효율적 활용을 촉진하고 관련 생태계를 조성하는 수평확장, △3D D램 등 차세대 원천기술 확보를 위한 미래소자 개발을 축으로 하는 ‘3축 공진화 전략’을 발표했다.
ETRI는 산학연의 협업을 통한 3대 분야에 대한 공진화 전략으로 AI 시대 메모리의 핵심가치인 ▲기술 성능 ▲운영 효율 ▲지속가능한 경쟁력을 달성할 수 있다고 강조했다.
ETRI ICT전략연구소 한성수 소장은“AI 메모리 반도체는 데이터를 저장하는 부품을 넘어 시스템 성능을 좌우하는 핵심”이라며,“민간 위주의 한계를 넘어서기 위해 정부의 전략적 R&D 지원과 산학연의 긴밀한 협력을 통해 공진화 모델을 구축해야 한다”고 말했다.
ETRI 방승찬 원장도“AI 메모리는 AI 패권 경쟁의 승패를 가를 국가 전략 기술이자 차세대 산업의 쌀”이라며,“이번 프로젝트는 우리 반도체 산업의 도약을 이끌 핵심 기반이 될 것”이라고 강조했다. 이어“현장의 의견을 적극 반영해 구체적인 성과로 이어가겠다”고 밝혔다.
ETRI는 이번 토론회에서 논의된 산학연 의견을 반영해 AI 메모리 국가전략프로젝트 최종 기획안을 마련하고, 국가 연구역량을 결집해 실행 방안을 구체화할 계획이다. <보도자료 본문 끝>
참고 |
발제내용 요약 |
글로벌 반도체 시장에서 우리나라는 오랜 기간 메모리 부문 1위를 유지해 왔으나, 최근 보조금 경쟁의 격화와 기술 패권 경쟁의 심화로 인해 초격차 유지에 대한 위기 신호가 가시화되고 있다. 특허 데이터 기반 기술경쟁력 분석에서도 이러한 추세가 확인되었으며, HBM 시장 점유율의 하락 전망이 이를 실증적으로 뒷받침한다.
이러한 위기를 돌파하기 위해서는 AI 시대가 요구하는 새로운 가치, 즉 기술 성능 고도화, 자원 공유를 통한 운영 효율, 그리고 지속가능한 경쟁력이 필요하다. 이는 곧 '적층의 한계를 넘고, 활용의 폭을 넓히며, 구조를 새롭게 하는' 전략적 전환을 의미한다.
이러한 가치 변화를 실현하기 위해, 본 프로젝트는 다음의 세 가지 전략방향을 제안한다.
1. 수직 확장 (HBM 등): 메모리 적층기술의 정밀화와 대역폭 증대를 통해 초격차를 유지하고, 민간의 투자 부담을 완화하는 방향으로 정부 지원을 확대한다.
2. 수평 확장 (CXL 등): 메모리 자원의 공유·활용을 통해 시스템 확장성과 효율성을 극대화하고, 생태계 중심 신시장 창출을 돕는다.
3. 미래 소자 (3D DRAM 등): 완전히 새로운 아키텍처 기반의 소자 구조 혁신을 추진하여 미래 시장을 선도할 원천 기술 확보에 기여한다.
이 세 가지 전략 방향은 균형 있게 공진화(co-evolution)하며 함께 발전하는 노력이 필요하다. 정부와 민간은 각 전략 분야별 협력의 우선순위와 추진체계를 명확히 해야 한다. 본 프로젝트는 이러한 협력을 통해 메모리 초격차를 유지하고, 차세대 AI 메모리 기술 선도국으로 도약할 수 있는 기반을 마련하고자 한다.
참고 2. 발제 목차
Ⅰ. 반도체 산업의 글로벌 경쟁력 진단: 초격차 유지의 기로(岐路)
1. 글로벌 경쟁력 현황
2. 글로벌 정책 변화
Ⅱ. AI 메모리 경쟁력 지속을 위한 전략방향: 3축 공진화 전략(TACs)
1. 미래 경쟁력 변화 동인 탐색: 차세대 AI 메모리의 핵심가치
2. 3축 공진화 전략: 개념 및 추진방향
3. 3대 혁신방향별 기술문제 및 핵심이슈
4. 3대 혁신방향별 당면과제 및 해결 주체: 정부의 역할을 중심으로
Ⅲ. 경쟁력 제고형 정부 역할수행 방향: 투자 우선순위/ 생태계 협력체계
1. 투자 우선순위
2. 생태계 협력체계
참고 3. 용어 설명
1. AI 메모리 반도체: 인공지능(AI)의 대규모 연산, 데이터 학습 및 추론 과정에 최적화된 고대역폭, 고용량, 저전력 특성을 갖는 차세대 메모리 반도체. AI 시대의 컴퓨팅 성능과 효율성을 좌우하는 핵심 기술이다.
2. HBM (High Bandwidth Memory, 고대역폭 메모리): 여러 개의 D램을 수직으로 쌓아 데이터 처리 속도를 혁신적으로 높인 메모리로, '수직확장'의 대표 기술이다.
3. CXL (Compute Express Link): CPU, GPU, 메모리 등 다양한 장치를 효율적으로 연결하는 차세대 인터페이스. 메모리 용량을 유연하게 확장하고 공유할 수 있어 '수평확장'의 핵심 기술로 꼽힌다.
4. 3D D램 (3D DRAM): 기존의 평면(2D) 구조를 넘어선 3차원 수직 구조로 셀(Cell)을 배열하여 집적도의 한계를 극복하는 '미래소자' 기술이다.